半导体MOSFET和MESFET有什么区别，基本原理是什么？

MOSFET采用横向双扩散结构(IDMOS)来兼顾工作频率与功率的要求，MESFET则采用肖特基势垒栅极(Schottky Gate FET)结构（图1.24）。就PN结的特性而言，与肖特基二极管并无本质上的区别。众所周知，肖特基势垒的基本结构就是“Metal-Semiconductor”（金属-半导体）...

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www.kiaic.com/article/detail/347.html         2017-07-27

MOS管是什么？什么是VDMOS(VMOS) 、UMOS (UDMOS、UVDMOS)

采用DMOS工艺的VMOS最初称为VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET，垂直沟道，双扩散MOSFET)和VVDMOS( V-groove VerticalDouble-diffused MOSFET,V形槽栅垂直沟道双扩散MOSFET)。这是直到目前仍然是绝对主流的功率MOSFET品种。因此在国内，如果没有特别说明...

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www.kiaic.com/article/detail/346.html         2017-07-27

运用TrL和CMOS集成门电路有什么留意事项？

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①多余的输入端不能悬空，以免形成干扰，—般要依据逻辑功用的不同接电源或接地。 ②电源电压大小必需契合请求，极性必需正确，否则会损坏集成电路。 ③输出端不能直接接电源或直接接地，需经外接电阻后再接电源。

www.kiaic.com/article/detail/310.html         2017-07-11

场效应管｜薄膜晶体管(TFT)：​

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场效应管｜薄膜晶体管(TFT)：?

www.kiaic.com/article/detail/280.html         2017-06-26

强场效应管｜场效应管

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强场效应管｜场效应管

www.kiaic.com/article/detail/266.html         2017-06-20

线性调整器

线性调整器的主要缺陷是串接晶体管存在过大功耗 。一切的负载电流都必需经过串接 晶体管，其功耗为 C V卢c -Vo ） 。大多数状况下 ，串接 NPN型晶体管的最小压差（c-V.）为2.5V。因而，若直流输入电压由工频变压器次级整流取得，则次级臣数选择应保证交流网压最...

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www.kiaic.com/article/detail/204.html         2017-05-15

TO-220产品包装

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www.kiaic.com/product/detail/62.html         2016-05-18

78LXX系列产品包装

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www.kiaic.com/product/detail/63.html         2016-05-18

各封装数量

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www.kiaic.com/product/detail/173.html         2016-05-17

KIA半导体推出碳化硅场效应管（SiC-MOSFET）

近些年来，随着节能意识几乎在所有的领域持续高涨，在高电压工业设备领域中，可实现节能并支持高电压的功率半导体和电源IC应用也越来越广泛。其中，与现有的Si功率半导体相比，可支持更高电压、有助于实现小型化且更加节电的SiC功率半导体备受瞩目。

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www.kiaic.com/article/detail/53.html         2016-04-18

KIA7N60U

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www.kiaic.com/product/detail/80.html         2016-03-22

KIA7N60H

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www.kiaic.com/product/detail/79.html         2016-03-22

KIA6N65H

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www.kiaic.com/product/detail/76.html         2016-03-22

KIA2301

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www.kiaic.com/product/detail/117.html         2016-03-17